2020年10月9日股市热点排名：今日大盘热门股票分析

　　1、光伏节后再度走强 概念股掀起涨停潮

　　节后的光伏板块再迎市场爆炒，青岛中程开盘一字涨停，阳光电源、上能电气、秀强股份、珈伟新能、东方日升、中来股份大幅高开10%以上，金晶科技、锦浪科技、亿晶光电、晶科科技、恒星科技、亚玛顿、中天火箭、福斯特、福莱特、安彩高科等盘中跟风涨停，盘中光伏概念再迎全线走强，概念股掀起市场涨停潮。

　　8月光伏组件出口继续保持双位数增长。随着装机成本下行，光伏发电已成为越来越多国家成本最低的能源发电方式。机构普遍预计，四季度，国内光伏行业仍将迎来旺盛需求。明年全球光伏大年，装机增长同比30%以上。中长期看，全球光伏需求大幅提升，中国光伏制造业占全球绝对主导地位，国内具有技术、成本双重优势的龙头企业有望获取最丰厚收益。

　　2、新能源汽车产业链承接节前景气 相关概念股继续受热炒

　　节后新能源汽车产业链概念继续呈现市场走强，盘中特斯拉、锂电池、新能源车、充电桩、燃料电池等概念股呈现全线走强，新宙邦、亚玛顿、三华智控、航天彩虹、比亚迪、宁德时代、长盈精密、均胜电子、卧龙电驱、赣锋锂业、易事特等个股呈现全线走强，阳光电源、九州集团、科士达、思源电气、国轩高科、双杰股份等个股盘中跟涨拉升，新能源汽车产业链概念继续受到市场热炒。

　　2020年以来，国内多部门联合多家国内新能源车企展开新能源车下乡活动，将推动中低端新能源车市场扩张。国内新能源汽车下半年销量可达80万辆，同比增长约30％，内需大幅提高。

　　而日前，国家新能源汽车创新工程项目专家组组长王秉刚在第二届全球新能源汽车供应链创新大会上透露，《节能与新能源汽车技术路线图（2.0版）》已通过专家评审，王秉刚表示，全面电驱动化不仅将高度融合节能汽车与新能源汽车的产业链，还能消除传统汽车与新能源汽车的技术体系界限，有望构筑中国汽车产业新的整体技术架构与产业链布局。

　　3、苹果芯片发布在即 消费电子类题材呈现活跃

　　受苹果新品发布在即消息影响，今日盘中消费电子类题材呈现全线活跃，消费电子、无线耳机、智能穿戴、小米、华为、OLED 屏幕等概念板块呈现全线活跃。科森科技、创世纪、欣旺达、天准科技、传音控股、蓝思科技、领益智造、星星科技、歌尔股份、南玻A、锦富技术、濮阳惠成、赛伍技术、安洁科技、劲拓股份等个股盘中受到爆炒，盘中消费电子类题材活跃提升市场人气，也推升创业板市场整体走高。

　　苹果发布了秋季新品发布会邀请函，邀请函显示，新品发布会时间为10月13日。据产业链相关报道，iPhone12系列四款机型分别为iPhone12mini、iPhone12、iPhone12 Pro和iPhone12 Pro Max。根据MacRumors供应链信息整理，IPhone12系列升级幅度较大，屏幕将全部采用OLED（5.4寸/6.1寸/6.7寸），且屏幕刘海有所减小，同时将配置高通5G芯片，后置摄像头将增加ToF 3D传感器。

　　4、石墨烯受到市场热炒 珈伟新能等个股强势封板

　　今日盘中石墨烯概念受到市场热炒，盘中珈伟新能、豫金刚石强势封板，当升科技、德方纳米、翔丰华、欣旺达等个股盘中涨幅超10%，中科电气、锦富技术、正泰电器、杉杉股份、道氏股份、生益科技等盘中跟涨拉升走强，盘中石墨烯概念股迎来市场普涨。

　　发改委发布《关于扩大战略性新兴产业投资 培育壮大新增长点增长极的指导意见》，意见提出，加快新材料产业强弱项，实施新材料创新发展行动计划，加快拓展石墨烯、纳米材料等在光电子、航空装备、新能源、生物医药等领域的应用。此前，广汽3DG石墨烯技术正式亮相，该技术将石墨烯材料应用在快充锂离子电池、超级电容、锂硫电池和轻量化车身材料等多个领域。

　　石墨烯是二十一世纪新材料，是目前发现的最薄、强度最大、导电导热性能最强的新型纳米材料，在许多领域都有应用前景。目前，石墨烯产业化正在积极推进。我国石墨烯的上游资源石墨储量丰富，有利于我国石墨烯产业化的推进。随着石墨烯研究的发展和技术的进步，未来石墨烯的应用将会逐步扩大。

　　5、第三代半导体新材料概念受到热炒

　　在市场强势反弹和人气回升带动下，第三代半导体新材料概念股再次迎来市场热炒，盘中金力泰、广信材料、捷捷微电、蓝英装备、高盟新材、雅克科技、大族激光、强力新材、容大感光等光刻胶概念以及新洁能、奥海科技、海能实业、杨杰科技、风华高科、乾照光电、台基股份等氮化镓概念股受到市场热炒呈现全线走强，盘中第三代半导体新材料概念股呈现普涨。

　　中科院未来将把高端轴承等很多需要依赖进口的关键材料列入科研清单，集中全院力量来攻克这些目前最受关注的重点技术，其中包括光刻机、芯片制作必须的关键原材料等。

　　第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb），主要用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件（LED），是制作高性能微波、毫米波器件及发光器件的优良材料。Si 基器件在 600V 以上高电压以及高功率场合达到其性能的极限；为了提升在高压/高功率下器件的性能，第三代半导体材料 SiC （宽禁带）应运而生；第三代半导体主要是 SIC 和 GaN，SIC 材料具有明显的性能优势。SiC 和 GaN 是第三代半导体材料，与第一二代半导体材料相比，具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率等性能优势，所以又叫宽禁带半导体材料，特别适用于 5G 射频器件和高电压功率器件。

　　作者：朱华雷 巨丰财经